«Вычислительное» хранение

Данный тип хранения имеет свойства выполнения определенной обработки еще на уровне хранения, не переходя в основную память, с помощью основного процессора, на данный момент он привлёк внимание большинства IT-менеджеров.

Продвижение в IT сфере и ИИ сейчас требуют всё большего объёма особопроизводительных сред хранения и учёта данных. Сам процесс обработки данных и их перемещения к головному процессору на данный момент является довольно дорогим и малоэффективным средством.

С помощью высокопроизводительных устройств SSD на протяжении уже нескольких лет мы осваиваем тенденцию перемещать все вычислительные ресурсы ближе к основным средствам хранения. Многие пользователи утверждают о том что к следующему году эта тенденция получит распространение в широкие массы.

Тип хранения путём вычисления можно использовать по-разному, как с малых устройств периферии, которые фильтруют данные перед переносом в облако, так и с развёрнутых массивов хранения, обеспечивающих полный пакет сортировки информации базовых данных.

Более распространёнными драиверами с концепцией хранения путём вычисления являются NVMe и контейнеры. Исходя из этого IT-менеджерам обязательно нужно запланировано переходить на контейнерную инфраструктуру хранения, помимо этого желательно выбрать приложения, имеющие более высокую эффективность вычислительного типа хранений и налаживать отношения с их импортерами.

SCM (Память класса систем хранения)

Распространение в массы данного типа хранения планировалось сравнительно давно, и ожидаемо что к 2020-му году эти планы осуществятся. Независимо от того, что множество модулей основано именно на таком типе хранения, как например Intel Optane, их распространение ощущается довольно слабо.

Модули от Intel имеют неоспоримое преимущество скоростной, но имеющей большие потери при выключении питания памяти DRAM (dynamic random access memory), и в перевес этому довольно медленной, но в купе с этим энергонезависимой микросхемой NAND. Комбинация данного типа позволит нам сочетать высокоскоростную DRAM с устойчивой NAND.